【摘 要】
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面对即将发生的技术变革,国际整流器公司(简称IR)研发人员研制出具有创新意义的基于氮化镓(GaN)的功率器件技术平台.该技术保证其性能指数(FoM)可以比现在最先进的硅MOSFET优
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面对即将发生的技术变革,国际整流器公司(简称IR)研发人员研制出具有创新意义的基于氮化镓(GaN)的功率器件技术平台.该技术保证其性能指数(FoM)可以比现在最先进的硅MOSFET优越10倍以上.这些已商业化的基于GaN的功率器件将带来崭新的解决方案,使市场出现能够提供高密度、高效率且符合成本效益的革命性功率转换技术.
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