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p-TCO薄膜可能开辟一个新的应用领域，但其导电率远小于n—TCO薄膜的导电率，成为制约p-n型TCO应用的关键问题之一。该文归纳了p-TCO的种类和晶体结构，讨论了其半导体机制和能带结构。综述了最近p-TCO薄膜的制备技术和研究进展，分析了导电机理和跃迁模型。认为应综合考虑掺杂、量子效应与尺寸效应、能带结构和载流子浓度与迁移率，才能解决其电导率低的问题。