【摘 要】
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交流耦合的硅条探测器有较高的电压跨接在耦合电容上面,坏的耦合电容使约50V 电压加到 SVX 器件,测量了坏的耦合电容对 SVXD(rod soft 3 μm)、SVXH(rad soft 1.2 μm)和 SVX
【机 构】
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FenmilabNationalAcceleratorLaboratory,中国科学院高能物理所
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交流耦合的硅条探测器有较高的电压跨接在耦合电容上面,坏的耦合电容使约50V 电压加到 SVX 器件,测量了坏的耦合电容对 SVXD(rod soft 3 μm)、SVXH(rad soft 1.2 μm)和 SVX2b(tad soft 1.2 μm)放大器/读出器件的影响.试验结果表明,当一个过载电压直接加到一个 SVX 道时,相邻的一些道发生饱和,这种效应是由于在 SVX 基片内的电流扩散而不是探测器的表面电流形成的。文中讨论了饱和量大小和可能的解决途径。
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