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混合SiC IGBT采用SiC肖特基二极管替换传统IGBT器件中的反并联二极管,可以减少二极管反向恢复损耗和IGBT开通损耗,相对于传统的Si IGBT器件,其性能大幅提升,相比于高压大功率全SiC器件,混合SiC IGBT在成本和技术成熟度方面具有较大优势.文章根据混合SiC IGBT器件特性开发了符合混合SiCIGBT器件应用需求的低换流回路杂散电感的变流器模块,研究了换流回路杂散电感对混合SiC IGBT开关特性的影响.试验结果表明:变流模块杂散电感对混合SiC IGBT开通振荡电压幅值与持续时间具有较大的影响;使用混合SiC IGBT器件比使用Si IGBT器件可以降低约25％的系统损耗.