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目的研究二维MoS2薄片的生长规律,为将来过渡金属硫族化合物薄膜的生长提供理论参考与技术经验。方法采用化学气相沉积法(CVD)制备MoS2薄片,且仅改变薄片生长的保温时间。通过光学显微镜、扫描电镜(SEM)和拉曼光谱分析探究MoS2薄片的生长规律。结果MoS2薄片由最初的形核点逐渐生长为中心有亮点的三角形(形核点MoS2拉曼光谱特征峰波数差为20.25 cm^−1)进一步生长为完整三角形的MoS2薄片(拉曼光谱特征峰波数差为18.32 cm^−1)。随着保温时间的延长,薄片之间开始“拼接”成膜,并最终在此