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通过对GaN基发光二极管的表面进行粗化,可以改变出射光的方向,使那些满足全反射光改变方向后折射出来,从而提高了发光二极管的出光效率。实验结果表明,粗化芯片在20mA注入电流下,粗化芯片的光提取效率提高了23%,由于接触面积的增加,正向电压降低了0.11V。
表面粗化提高GaN基发光二极管光提取效率的研究
【摘 要】
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通过对GaN基发光二极管的表面进行粗化,可以改变出射光的方向,使那些满足全反射光改变方向后折射出来,从而提高了发光二极管的出光效率。实验结果表明,粗化芯片在20mA注入电
【机 构】
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西安中为光电科技有限公司
【出 处】
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电子制作
【发表日期】
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2014年2X期
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