【摘 要】
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我们发展了一种简易的、无光刻法制备Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋ｘ单晶内禀结的新型工艺，制备过程简单，重复性好，成功率高，结面积在２０μｍ×２０μｍ～８０μｍ×８０μｍ之间．同时，我们测量了内禀结的直流Ｉ～Ｖ特性，得到了具有多路电阻分支的
【机 构】
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南京大学电子科学与工程系微结构科学技术高等研究中心
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我们发展了一种简易的、无光刻法制备Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋ｘ单晶内禀结的新型工艺，制备过程简单，重复性好，成功率高，结面积在２０μｍ×２０μｍ～８０μｍ×８０μｍ之间．同时，我们测量了内禀结的直流Ｉ～Ｖ特性，得到了具有多路电阻分支的内禀约瑟夫逊直流Ｉ～Ｖ特性曲线
We developed a simple, non-photolithographic process for the preparation of Bi2Sr2CaCu2O8 + x single crystal intrinsic junction of the new process, the preparation process is simple, good repeatability, high success rate, the junction area of 20μm × 20μm ~ 80μm × 80μm. At the same time, we measured the DC I ~ V characteristics of the intrinsic junction and obtained the intrinsic Josephson DC I ~ V characteristic curve with multi-resistance branches
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