【摘 要】
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为了提高真空断路器的开断性能,本文设计一种新型1/2匝真空灭弧室线圈式纵向磁场触头结构,并对其纵向磁场分布特性进行分析。利用有限元方法建立三维结构模型并仿真,在电流分
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为了提高真空断路器的开断性能,本文设计一种新型1/2匝真空灭弧室线圈式纵向磁场触头结构,并对其纵向磁场分布特性进行分析。利用有限元方法建立三维结构模型并仿真,在电流分别处于峰值和电流过零时,得出静触头表面、开距中心平面和动触头表面上的纵向磁场分布以及纵向磁场的滞后时间;纵向磁场在触头表面与开距中间平面比较均匀,纵向磁场在静触头面的最大值为0.782 T,纵向磁场在动触头面的最大值为0.442 T,滞后时间为0.897 ms,导体电阻为28.25μΩ;新型结构新型触头结构具有较强的纵向磁场,电流过零后的剩余
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