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Si/Pd/GaAs欧姆接触的激光退火

来源 :中国激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dongwujunye

【摘 要】

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利用连续Ar⁺激光对淀积在砷化镓上的Si/Pd进行退火,形成Si/Pd₂Si/GaAs(6.9×10¹⁷cm^-3)接触,得到了比接触电阻率为2.75&#21

【作 者】

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方芳 S.S.Lau 

【机 构】

：

中国科学院上海冶金所离子束开放实验室,美国加州大学圣地亚哥分校200050

【出 处】

：

中国激光

【发表日期】

：

1990年S1期

【关键词】

：

欧姆接触 比接触电阻率 激光退火 Ohmic contact  specific contact resistivity  laser annealing 

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利用连续Ar⁺激光对淀积在砷化镓上的Si/Pd进行退火,形成Si/Pd₂Si/GaAs(6.9×10¹⁷cm^-3)接触,得到了比接触电阻率为2.75×10^-6Ω·cm²的非合金欧姆接触。经410℃,8小时

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