硅表面自组织量子点形成机制的第一原理研究

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：libing09006

【摘要】

：

用第一原理法对Ge/Si (113)表面的重构、表面能和表面应力及其随Ge沉积层数的变化情况进行了计算,分析了Ge/Si (001)自组织量子点DOME形成机制和稳定性.发现构成DOME的Ge/Si(

【作者】

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邓胜华金慧李红

【机构】

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北京航空航天大学

【出处】

：

稀有金属材料与工程

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

Ge/Si自组织量子点 Si(113)表面重构第一原理计算表面能表面应力 Ge/Si self-organized quantum dot Si(113)

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用第一原理法对Ge/Si (113)表面的重构、表面能和表面应力及其随Ge沉积层数的变化情况进行了计算,分析了Ge/Si (001)自组织量子点DOME形成机制和稳定性.发现构成DOME的Ge/Si(113)表面在压应变条件下是能量非常低的稳定表面.Ge原子在Si(001)表面上自组织生长量子点时,首先形成HUT岛;当生长到相当于约4个(001)层厚时,Ge/Si (113)表面表现为(2×2)-TPI&R重构,并开始形成稳定的DOME岛.

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