外延生长La0.7Sr0.3MnO3薄膜厚度对缺陷影响的慢正电子分析

来源 :化学物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chengshisanren
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采用脉冲激光沉积方法在(LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7衬底上外延生长了La0.7Sr0.3MnO3薄膜,并采用慢正电子束方法分析了薄膜在不同厚度和不同退火气氛下参数S的变化.分析表明,溥膜中包含两种机制引入的氧空位,分别是簿膜生长气氛中氧压偏低造成薄膜的氧缺乏和由于薄膜应变引入空位型缺陷.当薄膜厚度较薄时,应变造成的晶格畸变化比较大,当薄膜的厚度大于11nm时,薄膜的应变驰豫已经比较完全.原位退火的样品中正电子主要是被氧缺乏引起的氧空位捕获.在氧气中退火的样品,S随厚度的变化反映了应变对
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