Mg^(2+)掺杂对0.8Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_(3)-0.2Bi_(0.5)K_(0.5)TiO_(3)陶瓷电学性能的影响

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采用固相反应法制备了Mg^(2+)掺杂的0.8Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_(3)-0.2Bi_(0.5)K_(0.5)TiO_(3)陶瓷,对其相结构、铁电性能、介电性能性能和阻抗特性进行了研究。X射线衍射测试发现所有样品均具有单一的钙钛矿相结构,表明Mg2+能完全融入钙钛矿结构晶格中。所有样品都表现出铁电特性,Mg^(2+)掺杂遵循3Mg^(2+)↔3Mg_(Ti)"+VO··,会显著促进陶瓷中氧空位缺陷的增多,掺杂量在2mol%以上时会引起陶瓷介电性能的显著降低
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