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通过MOS结构C-V特性曲线和C-V特性滞后曲线,对不同淀积条件下的SiO2-Si界面特性进行了研究,并与热氧化法和PECVD法生长的SiO2膜界面进行了比较,结果表明,在不同工艺条件下,其界面电荷密度有所不同,与热氧生长膜的界面电荷密度相近,比PECVD膜的界面电荷密度稍低,且其界面基本上呈现负电荷中心,根据俄歇电子能谱的结果,对其界面负电荷的形成作了定性的解释。