【摘 要】
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合成了2-甲基-8-羟基喹啉镓配合物（Ga（mhq）3）,通过红外光谱、氢核磁谱确认其结构,进一步通过紫外-可见吸收光谱、循环伏安曲线、荧光发射光谱和电致发光光谱表征了其光学带隙及发
【机 构】
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太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原理工大学化学化工学院,太原理工大学材料科学与工程学院
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合成了2-甲基-8-羟基喹啉镓配合物（Ga（mhq）3）,通过红外光谱、氢核磁谱确认其结构,进一步通过紫外-可见吸收光谱、循环伏安曲线、荧光发射光谱和电致发光光谱表征了其光学带隙及发光性质。实验结果表明Ga（mhq）3紫外吸收峰在259和365nm处,由紫外吸收得到光学带隙为3.10eV。在四氢呋喃溶液中,416nm激发下,荧光发射峰在496nm,为蓝绿色荧光;在360nm波长的激发下,Ga（mhq）3粉末发射峰在472nm处,属蓝绿光发射。将其做成器件A：ITO/NPB（50nm）/Ga（mhq）3（3
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