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依据腔量子电动力学中自发辐射增强效应，分析了垂直腔面发射半导体激光器的微腔效应，比较了普通开腔和三维封闭腔中的结果。从理论上推出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程。并讨论了其输出特性即粒子数反转和光输出随泵浦速度变化的关系，同时也讨论了利用微腔效应进一步降低半导体激光器激射阈值的途径。
垂直腔面发射半导体激光器输出特性的分析
【摘 要】
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依据腔量子电动力学中自发辐射增强效应，分析了垂直腔面发射半导体激光器的微腔效应，比较了普通开腔和三维封闭腔中的结果。从理论上推出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速
【机 构】
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西南交通大学电气工程学院
【出 处】
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西南交通大学学报
【发表日期】
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1999年4期
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