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采用金电极的硅纳米梁在通过HF湿法腐蚀SiO2牺牲层释放结构的时候会发生硅纳米梁被腐蚀现象，消除此效应对于纳米尺度梁制造非常重要。通过电化学工作站测量不同条件下金/硅在HF中的极化曲线和腐蚀电流，从定性和定量研究此腐蚀的原删和影响因素：金硅在HF中形成的原电池效应是此腐蚀的主要原因；改变金硅面积比和改变HF构成可以减缓此腐蚀。设计了一种简单可控的HF蒸气腐蚀装置彻底消除原电池腐蚀效应的影响，并实现了120nm厚双端固支纳米梁的无损释放。