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类石墨烯过渡金属碳化物(MXene)是一类新兴的导电二维材料,具有很好的电化学储能性能。MXene自支撑膜中二维片层的二次堆积会影响离子传输,降低其比电容。MnO2是一种优良的赝电容材料。两者复合有望提高MXene的比电容。首先对制备的二氧化锰(MnO2)纳米线进行改性处理后与Ti3C2Tx(MXene)混合,真空辅助抽滤得到复合薄膜。然后对复合薄膜进行结构表征及电化学性能测试。研究了MnO2的参杂量对电极材料的质量比电容的影响,并对质量比电容提高的机理进行了分析。实验结果表明,MnO2重量比为16.6%