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采用水热法制备锡锑氧化物(ATO)纳米粉,利用XRD方法研究不同Sb-Sn掺杂比及热处理温度对ATO结构和电性能的影响.实验结果显示:掺杂摩尔分数n(Sb)∶n(Sn)=4%～8%时达到最佳导电性能, 随温度升高, 电阻率降低.
掺杂比与热处理温度对锡锑氧化物结构与电性能的影响
【摘 要】
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采用水热法制备锡锑氧化物(ATO)纳米粉,利用XRD方法研究不同Sb-Sn掺杂比及热处理温度对ATO结构和电性能的影响.实验结果显示:掺杂摩尔分数n(Sb)∶n(Sn)=4%～8%时达到最佳导电性
【出 处】
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硅酸盐学报
【发表日期】
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2002年z1期
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