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用密度泛函理论（DFT）和含时密度泛函理论（TD—DFT）对线型（饱和N-杂环化）和（苯并N-杂环化）低聚硅烷的电子结构和吸收光谱性质以及溶剂效应进行了比较研究．对各体系的基态电子结构在B3LYP／6—31G（d，P）水平上进行了全优化，讨论了电荷分布和前线分子轨道性质．在获得基态稳定构型的基础上，用B3LYP／6—311＋G（d）方法计算了电子吸收光谱的性质，探讨了主链的线型增长和溶剂对电子吸收光谱的影响．结果表明，随着主链的增长，低聚硅烷的电子结构发生明显扭曲，在（苯并N-杂环化）聚硅烷中形成了邻近苯