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分析了一种新型硅通孔(Through Silicon Via,TSV)结构——条形TSV(Bar-TSV)结构的三维模型和等效电路模型,推导了B-TSV结构GSG(Ground-Signal-Ground)传输模式下的等效电路模型中RLCG参数计算公式,并根据获得的计算公式进行了仿真验证,证实了等效电路参数计算公式的有效性。同时研究了B-TSV结构在GSG传输模式下主要参数变化对传输性能的作用机制并与传统TSV进行了性能对比分析。最后通过在印制电路板上加工出B-TSV结构样品并进行传输性能实测,验证