Study on the Drift Effect of Potassium Ion Sensing Based on the Extended Gate Field Effect Transisto

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：seanzhow

【摘要】

：

<正>The advantages of the extended gate field effect transistor (EGFET) compared with the ion sensitive field effect transistor (ISFET) are easy package,easy

【作者】

：

Jung-Chuan Chou Ching-Hsiang H

【机构】

：

DepartmentofElectronicEngineering

【出处】

：

稀有金属材料与工程

【发表日期】

：

2006年A03期

【基金项目】

：

Acknowledgement： This study was supported by the NSC 94-2215-E-224-002

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<正>The advantages of the extended gate field effect transistor (EGFET) compared with the ion sensitive field effect transistor (ISFET) are easy package,easy preservation,insensitive light effect,and better stability.Although EGFET has above advant

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