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UV泵浦Na20.75～0.80 μm受激发射的探讨
【机 构】
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哈尔滨工业大学激光研究室
【出 处】
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中国激光
【发表日期】
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1986年13期
其他文献
通过倾斜蒸镀SiO,获得对铁电液晶分子的均匀定向。液晶单池的对比度达150:1,响应速度达60 μs,并具有良好的双稳性能。利用该定向方法制成的64×64电寻址铁电液晶空间光调制器,对比度高于80:1,帧数高于39 /s。
介绍了以Al2O3,Ta2O5,BaTiO3,Na0.5K0.5NbO3(NKN)等多种功能陶瓷为研究对象，在功能陶瓷激光烧结技术工艺特点及其特殊烧结效应等方面的实验研究结果。研究表明，采用激光烧结陶瓷技术的关键问题是建立合适的温度场，需要保证烧结时陶瓷径向温度场的基本均衡稳定及合适的轴向温度梯度;对于熔点接近2000 ℃的高熔点陶瓷，激光烧结功率密度上限为103～104 W/cm2;此外激光波长的选择定则、样品支架的选择及功率曲线调节方式的确定也不容忽视。激光烧结陶瓷具有特殊的物相和显微结构特点：易获得
泵浦和探针技术可以用来研究时标上的发生在短至几分之一微微秒光感生透射和反射变化。本文报导用此技术对a-As2Te3和顺式聚乙炔(ciS-(CH)x)进行的测量。我们发现透射与反射有显著的振荡变化。这个效应可借助于相干声频声子的产生和传播来解释。此种观察为研究平均自由程很短材料中高频声子的速度和衰减提供了基础。
期刊
在经典力学框架内和Seeger方程基础上, 引入正弦平方势，把位错运动方程化为具有外力矩的摆方程。导出了弯结的形成能、弯结宽度、密度以及系统的激活能和弯结对的临界距离等物理量。指出位错在滑移面内的运动可视为弯结沿位错线的迁移与垂直方向的势垒翻越组成。
采用基于密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)的平面波超软赝势方法(PWP)分别对GaN和Cu吸附在GaN(0001)2×2表面atop、H3、T4不同位置的体系进行了几何结构优化，分别计算了GaN和Cu吸附GaN的两个体系的吸附能、能带结构和电子态密度。计算结果表明，在Cu吸附的GaN(0001)表面体系中，相比于Ga和N原子的上面位置，孤立的Cu原子最优先吸附在3倍原子层下的面心位置。Cu吸附的GaN(0001)表面体系呈现出半金属性，并且呈n型导电特征，这表明了Cu作为GaN器件电极的可行性
以前向光散射颗粒测试技术中的反演问题为研究对象, 将颗粒粒径分布函数表示为一系列B-spline函数的线性组合以降低反演问题的病态性。模拟计算与实验表明: 采用基函数形式的Tikhonov正则化方法可减少传统Tikhonov正则化反演带来的振荡, 使其更加光顺。
光通信系统中，高阶调制技术能以较低的电子速率实现更高的系统容量和更高的频谱效率，四阶脉冲幅度调制(PAM4)为以太网高速通信提供了一种有效可行的解决方案。为了满足集成化、低成本的需要，提出一种 PAM4传输方案，并利用商用 2.5GHz光器件通过双通道耦合的方法，实现了 5Gbit/sPAM4信号的传输实验方案; 并设计一种离线 DSP方案，对传输实验结果的数据进行优化。测试结果显示得到了较好的眼图，表明该方案应用于短距互联，可提高系统传输效率。
首次采用二维哈特曼法在车间对φ2.16米非球面主镜进行检验,给出了主镜的光浓度,最佳焦面点列图,镜面偏差的等高线图,均方根误差等,还用泽尼克(Zernika)多项式拟合镜面的偏差面形,求出像差系数。用本方法及二维最小二乘法消去测量误差,求出实际镜面的偏差面形。此外对本方法还做了一些改进,即以最佳焦面点列图上各对几何重心的偏差平方和作为评价函数,采用优化的方法找出实际镜面的顶点曲率半径B和离心率e~2。
期刊
业已证实，几类有机化合物经Ν2激光抽运后，显示有激光作用。实际上，近期应用的激光染料只有香豆素和若丹明，这是由于它们的激光产额高，光稳定性好。具有可调谐的光谱区以及在工作溶剂中溶解度高等原因所致。
期刊