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本刊讯日前,西安交通大学材料科学与工程学院先进陶瓷研究所博士生戴培赞在杨建锋教授指导下,用物理气相传输法成功制出多晶致密碳化硅陶瓷材料,首次在不需添加烧结助剂的条件下获得接近理论密度的纯碳化硅块体陶瓷材料。据了解,该技术已申请国家发明专利。该研究受到国家基金委项目、教育部博士点基金项目支持。