GeSi MOSFET的纵向结构对器件性能的影响

来源 :电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:baobei_jing
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
为了研究器件参数对GeSi MOSFET器件性能的影响,本文在建立一个简单的GeSi MOSFET的器件模型的基础上,对GeSi MOSFET的纵向结构进行了系统的理论分析,确定了纵向结构的CAP层厚度、沟道层载流子面密度、DEITA掺杂浓度以及量子阱阱深之间的关系,得出了阈值电压与DELTA掺杂浓度、栅氧化层厚度以CAP层厚度之间的关系,还得出了栅压与沟道载流子面密度、栅氧化层厚度及CAP层厚度
其他文献
目的探讨矿井和交通事故所致多发伤伴重型颅脑损伤的临床特点和救治策略。方法本组72例,GCS评分均〈8分,均伴身体其他部位多处损伤,均需外科处理。行开颅手术清除血肿52例,去
在曲轴宽电子束聚焦理论的基础上,本文研究了静电圆锥透镜聚焦性质,提出了静电场中考虑主轨迹为平面曲线情况下电子束的焦点、焦距等电子光学基本参量的定义。作为例子,给出了两
目的:探讨CD4+CD25+调节性T细胞(CD4+CD25+regulatory T cell,CD4+CD25+Treg)在原发性肝癌患者手术前、后外周血中的变化特性,分析CD4+CD25+Treg细胞在肝癌细胞免疫中的作用机制。方法选取
本文推导出了SDH/ATM双向自愈环在链路失效、节点失效及链球节点混合失效、节点失效及链路节点混合失效三种模型情况下的网络生存性函数,从导出的网络生存性函数可以方便地求出生存率
感染性休克是全身性感染(导致以器官功能损害为特征的临床综合征,死亡率大于25%.且发病率逐年上升。现将我院收治的1例报告如下。
本文提出适用于无失真并行数据压缩的超大规模ASIC的逻辑电路设计,与其他传统的串行或小规模并行无失真数据压缩的硬件或软件方法相比,本文的Systolic阵列结构有更好的并行性、实时性和普适
<正> 物理学的研究对象是实实在在的物质世界,这是认识论各派别公认的“客体”。物理学的研究过程,是认识的主体一人去探讨客体、认识客体、发现客体秘密的过程。物理学的发
诊断超声图文报告质量的好坏一方面反映超声医生和医疗卫生机构的业务水平,另一方面体现出人文素质和报告的可信度,质量好的报告在防范和化解医疗纠纷方面也有一定的价值。本文
本文提出了基于遗传算法(GA)的卷积码快速译码,进行格图上的单向(U-GA)和双向(B-GA)搜索译码,它利用遗传算法的群体多样性好、搜索空间宽广,具有全局优化能力,提高译码质量,通过模拟计算,分析了单向
患者女,52岁,因左大腿股骨干骨折在外院治疗30d,骨折愈合出院后,仍疼痛不减。体格检查:左大腿略肿胀,中部可扪及一肿物,质软,不活动,触及明显搏动;局部无压痛,听诊闻及隆隆样杂音。