【摘 要】
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制备了一种势垒层为非掺杂Al0.27Ga0.73N的AlGaN/GaN肖特基二极管.通过拟合不同温度和应力时间下的电流数据,研究了该肖特基二极管的反向漏电流的传输机制和模型.研究表明,在
【机 构】
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淮阴师范学院物联网工程系,江苏淮安,223300
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制备了一种势垒层为非掺杂Al0.27Ga0.73N的AlGaN/GaN肖特基二极管.通过拟合不同温度和应力时间下的电流数据,研究了该肖特基二极管的反向漏电流的传输机制和模型.研究表明,在不同温度下,ln(I/E)与E1/2呈线性关系,电流由Frenkel-Poole (FP)发射主导.考虑极化电场和势垒层缺陷的影响,对FP发射模型进行了修正.对修正后的FP模型进行了光发射显微镜测试.测试结果表明,AlGaN/GaN肖特基二极管漏电流的传输机制为高电场通过缺陷发射电子,缺陷的势垒高度约为0.3 eV.
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