【摘 要】
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二硫化钼（MoS2）具有优异的理化性能，但是磁滞效应限制了其在半导体器件上的大量应用。研究了化学气相沉积法（CVD）生长的MoS2薄膜制备的悬置和非悬置场效应晶体管在室温下（20℃左右）
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二硫化钼（MoS2）具有优异的理化性能，但是磁滞效应限制了其在半导体器件上的大量应用。研究了化学气相沉积法（CVD）生长的MoS2薄膜制备的悬置和非悬置场效应晶体管在室温下（20℃左右）的电学特性曲线。发现非悬置场效应晶体管和悬置场效应晶体管中都存在磁滞现象，但是非悬置场效应晶体管的磁滞现象比悬置场效应晶体管更强。说明在样品制备过程中引入的水分子和氧分子等杂质吸附在样品表面和衬底与样品之间的界面上，这些杂质能从沟道材料的导带中转移电子充当载流子导致了磁滞效应的发生。
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