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在钛酸锶钡与质量分数为60%的Mg0混合的基础上,进行了‰()3掺杂的系统研究.随‰03掺入量的增加,~r-MgO材料的晶面间距先变大后变小.掺杂适量的La203可降低BST—Iv/go复合材料高频损耗,同时保证适中的介电常数,但过量的Lal03掺杂使得材料的介电常数降得很低.当L赴03掺杂量为叫(L赴03)=0.2%时,~F-MgO材料的介电常数为84.9,损耗为0.006(2.9GHz),介电常数可调率达14.3%(29.7kV/CITI).利用电介质理论分析了L赴q对BSW—MgO材料介电性质的改性