GaAs／AlAS超晶格中的纵光学声子模的近共振散射研究

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【摘要】

：

在室温和背散射配置下,测量了GaAs/AlAs超晶格的Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘GaAs衬底上.激发光源用Kr离子激光器的6471A和 6764A线.在近共振

【作者】

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汪兆平李国华

【机构】

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半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所,Max-Planck-InstitutefurFestkorperforschung,7000Stuttgart80,Germany北京l00083,

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1991年5期

【关键词】

：

GaAs/Al/As 超晶格声子模

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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在室温和背散射配置下,测量了GaAs/AlAs超晶格的Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘GaAs衬底上.激发光源用Kr离子激光器的6471A和 6764A线.在近共振散射下,由于弗洛里希作用的共振增强效应,具有A_1对称性的LO偶模的散射强度远远强于具有 B_2对称性的奇模.但偶模仅在偏振谱中观测到,在退偏振谱中观测到的仍是奇模,仍然和非共振散射下的情况一样,有同样的偏振选择定则。此外,二级散射谱也观测到了.

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