衬底温度对PLD方法生长Si(111)基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ailing770
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在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜.通过对薄膜进行的X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)、光致发光谱(PL)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)的测量,研究了衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的结晶质量、发光性质以及微观结构的影响.发现在600℃的衬底温度下可以得到结晶质量最佳的ZnO薄膜.随着晶粒直径的减小,出现量子限制效应,在红外吸收和光致发光中的峰位均产生了蓝移.
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