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介绍了在高于253K的温度下，实现红外单光子探测的实验．选用拉通电压较高的雪崩光电二极管（APD），设计制作了非线性限流技术保护高温工作的APD，利用半导体热电制冷器，在256．8K的温度下，实现了1550nm波段的单光子探测实验．单光子探测的暗记数率为3．13×10^-5ns，在220kHz／s的单光子脉冲速率下，探测效率为2．08％．