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本文研究用实验方法测定半导体器件在高功率微波(HPM)照射下的毁伤阈值.介绍了实验系统的结构、原理,分析了如何用数值方法确定半导体器件所吸收的微波功率,对实验数据进行了分析.
半导体器件高功率微波毁伤阈值实验
【摘 要】
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本文研究用实验方法测定半导体器件在高功率微波(HPM)照射下的毁伤阈值.介绍了实验系统的结构、原理,分析了如何用数值方法确定半导体器件所吸收的微波功率,对实验数据进行了
【机 构】
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电子科技大学
【出 处】
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实验科学与技术
【发表日期】
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2004年3期
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