【摘 要】
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设计制备了不同大小的单颗微缩化发光二极管(Micro-LED)和Micro-LED阵列.其中,单颗Micro-LED尺寸为40-100μm,其电极结构为共N极,P极单独引出;阵列像素数量为8×8,被动驱
【基金项目】
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国家重点研发计划(批准号:2017YFB0403100,2017YFB0403102)资助的课题.
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设计制备了不同大小的单颗微缩化发光二极管(Micro-LED)和Micro-LED阵列.其中,单颗Micro-LED尺寸为40-100μm,其电极结构为共N极,P极单独引出;阵列像素数量为8×8,被动驱动结构,像素大小为60μm.器件制备过程中使用厚光刻胶作掩膜,刻蚀N型GaN外延片至衬底,形成隔离槽.通过优化电极结构和厚度,提高了P电极在隔离槽爬坡处的可靠性;使用现场可编程门阵列(field-programmable gate array,FPGA)对Micro-LED被动阵列进行了驱动显示.
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