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设计了由SiO2和Te构成的一维光子晶体结构，对该结构的全向反射带特性进行分析。找到了TE和TM模的全向反射带范围，TE模的反射带在785／nm到1258nm内变化，TM模的反射带在785nm到1099nm范围内变化。讨论了晶格常数，晶格周期对该全向反射带的影响。结果表明，TE模的全向反射带始终比TM模的宽。晶格常数增大，TE和TM模的全向反射带均向归一化频率较高（对应长波）的方向移动。晶体周期增大，TM模的全向反射带会变窄，而TE模的全向反射带变化不大。此外还发现，参数变化对TM模的反射带的影响明显大于