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利用原位无压反应烧结方法制备了不同配比的SiC／MoSi2复合材料，分析了烧结工艺对产物的影响，研究了原位生成的SiC颗粒对MoSi2基体材料室温力学性能和显微结构的影响。结果表明：原位反应烧结制备SiC／MoSi2的工艺是可行的，反应生成的适量SiC颗粒细化了基体晶粒，改善了其力学性能；与该工艺下制备的纯MoSi2相比，含10％SiC的SiC／MoSi2复合材料室温抗弯强度提高了181％，该复合材料的强化机制为细晶强化和弥散强化，韧化机制为细晶增韧和裂纹偏转。