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采用射频－直流等离子化学气相沉积法制备类金刚石薄膜，用慢正电子湮灭技术研究了类金刚石薄膜中缺陷的深度分布，并系统研究了工艺参数对类金刚石薄膜中缺陷浓度的影响。实验结果表明，单晶Ｓｉ衬底具有很高的缺陷浓度，类金刚石薄膜中的缺陷浓度较低。且缺陷均匀分布，薄膜表面存在一缺陷浓度较高的薄层，而膜－基之间存在一很宽的界面层，界面层内缺陷浓度随离衬底表面距离的增加而线性降低，到达薄膜心部后，缺陷浓度趋于稳定。