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目的：研究黄铜在不同阳极钝化电位下形成的钝化膜的半导体性能。方法通过动电位极化曲线获取黄铜在硼酸盐缓冲溶液中的维钝电位区间，并选取3个钝化电位值对黄铜进行钝化处理，采用电化学阻抗谱和 Mott-Schottky 半导体理论研究阳极钝化电位对钝化膜半导体性能的影响，并进一步利用PDM 模型进行点缺陷扩散系数的计算。结果黄铜在硼酸盐缓冲溶液中有明显的钝化区间，不同钝化电位对应的 Mott-Schottky 直线斜率均为负值，且点缺陷扩散系数均为10-14数量级。随着阳极钝化电位的正移，钝化膜的阻抗值不断增加，