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本发明提供一种硅基可见光近红外光电子器件,该器件的一个表面层中掺杂了平均浓度从0.5%原子到1.5%原子不等的硫成分。该表面层与衬底的底层部分构成了一个二极管结。另外,该光电子器件还包括许多个电接点,这些电接点是用来向表面层施加0.1V至15V反向偏压的。通过向表面层施加反向偏压,可以促使其根据所接受到的电磁辐射产生电信号,如光电流。该光电探测器对于250nm-1050nm范围的入射辐射的响应率大于1AW,对于更长的波长如3.5μm以下的波长,其响应率大于0.1A/W。