Fe3O4/MgO(100)薄膜的激光分子束外延与磁电学性能

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采用激光分子束外延方法,以烧结a—Fe2O3为靶材,在MgO(100)基底上制备了Fe3O4薄膜。通过反射高能电子衍射原位观察了薄膜生长前后的表面结构,结果表明所生长的Fe3O4薄膜表面平整。经显微激光拉曼光谱和X光电子能谱分析证实所得薄膜表面成分为纯相Fe3O4。磁电学性能采用多功能物性系统测量,结果表明:当温度降至100K附近时,薄膜电阻率有较大增加,Verwey相转变的范围变宽而且不明显,说明反向晶粒边界的存在;在7160kA·m。的磁场下,室温磁电阻达到-6.9%,在80和150K温度下
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