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提高纵向耐压是研究绝缘体上的硅（Silicon—on—insnlator，简称SOI）高压器件之瓶颈，经过多年研究，总结出了SOI高压器件介质场增强（Enhanced Dielectric Layer Field，简称ENDIF）理论与技术，通过增强介质埋层电场来提高击穿电压。给出增强介质埋层电场的3项技术，即在埋层上界面引入电荷、降低埋层介电系数、采用超薄顶层硅。基于ENDIF，提出了一系列SOI高压器件结构，即电荷型SOI高压器件、低k和变k埋层SOI高压器件、薄硅层阶梯漂移区SOI高压器件，建立了相