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高纯三氟化硼是半导体离子注入用的重要掺杂离子源,在电子工业中有着广泛的应用。采用六西格玛流程改善方法,通过D-定义、M-测量、A-分析、I-改进、C-控制五个阶段,找出影响三氟化硼纯度的主要因子,然后对因子进行改进,通过试运行后,最终将三氟化硼纯度从99.5%提高到99.95%。
采用六西格玛方法提高三氟化硼气体纯度
【摘 要】
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高纯三氟化硼是半导体离子注入用的重要掺杂离子源,在电子工业中有着广泛的应用。采用六西格玛流程改善方法,通过D-定义、M-测量、A-分析、I-改进、C-控制五个阶段,找出影响
【机 构】
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中昊光明化工研究设计院有限公司
【出 处】
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低温与特气
【发表日期】
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2019年3期
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