【摘 要】
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采用浸渍法在硅纳米孔柱阵列（Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA）衬底上制得了一系列金/硅纳米孔柱阵列（Au/Si-NPA）,不同Au/Si-NPA所用沉积时间不同。通过测试分析所制Au/S
【机 构】
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河南工业大学理学院,河南大学特种功能材料教育部重点实验室
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采用浸渍法在硅纳米孔柱阵列（Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA）衬底上制得了一系列金/硅纳米孔柱阵列（Au/Si-NPA）,不同Au/Si-NPA所用沉积时间不同。通过测试分析所制Au/Si-NPA的I-V特性曲线,研究了沉积时间对Au/Si-NPA电学特性的影响。结果表明：在沉积时间小于30 min时,Au/Si-NPA的正向电流随沉积时间的延长而减小;而当沉积时间超过30 min时,Au/Si-NPA的正向电流随沉积时间的延长而增大。这种电学特性变化主要是由A
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