【摘 要】
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采用浸渍方法制备不同氧化铜含量的CuO/γ-Al2O3催化剂。使用XRD、SEM和程序控制升温还原(TPR)方法研究γ-Al2O3载体表面氧化铜的分布情况。用X射线定量分析方法得到氧化铜在
【机 构】
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昆明理工大学冶金与能源工程学院真空冶金国家工程实验室;北京航空航天大学材料科学与工程学院;
【出 处】
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Transactions of Nonferrous Metals Society of China
【基金项目】
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Project (Jinchuan 201114) supported by the Pre-Research Foundation of Jinchuan Group Ltd., China;Project (2011148) supported by the Analysis and Testing Foundation of Kunming University of Science a
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采用浸渍方法制备不同氧化铜含量的CuO/γ-Al2O3催化剂。使用XRD、SEM和程序控制升温还原(TPR)方法研究γ-Al2O3载体表面氧化铜的分布情况。用X射线定量分析方法得到氧化铜在γ-Al2O3中的分散阈值为0.275g/g,即0.275CuAl。当氧化铜负载量小于或大于其分散阈值时,高度分散或结晶状氧化铜将会出现在γ-Al2O3载体表面。TPR实验表明0.1CuAl和纯CuO还原温度范围分别为420-690°C和290-380°C。氧化铜与载体之间的相互作用导致0.1CuAl不易被还原。0.5CuAl呈现2个分步还原温度范围,分别为210-300°C和410-730°C,证实了γ-Al2O3载体表面高度分散和结晶状分布的氧化铜。硫化实验表明,最佳氧化铜负载量小于其分散阈值,氧化铜以亚单层形式分布在γ-Al2O3载体表面。
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