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在InGaN/GaN多量子阱(MQW)中存在较大的压电极化场,由此引起的量子限制斯塔克效应(QCSE)会造成电子空穴的辐射复合率下降。设计生长了具备InGaN应变层的MQW结构以减弱极化场,并进行了变温、变激发强度的光致发光谱实验,结果表明,引入应变层后的MQW内量子效率有所提高。对峰值能量蓝移量的分析表明,应变层有效减弱了QCSE,明显增加了对应电致发光谱的峰值强度。验证了InGaN应变插入层具有应力调制的作用,有利于提高MQW的发光效率,改善器件性能。