结晶取向的Bi_(2-x)Sb_xTe_3(x=1.5,1.6,1.7)的热电性能

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Hiroyuki Kitagawa等人采用脉冲电流烧结法并加上周期性压力(PCS-cyclic),制得结晶取向BiSbTe材料,周期性单轴向压力为100MPa,烧结温度为673K,时间为10min。X-射线衍射和电子背散射衍射图表明,所制得试样织构为C-面取向晶体,六面体C-面垂直于加压方向,这是热电转换的最佳方向。随Sb量增加,Bi_(2-x)Sb_xTe_3的载流子浓度增大,控制在(1.2~4.2)×10~(25) m~(-3)。比较本研究材料和单晶体 Hiroyuki Kitagawa and others using pulse current sintering and periodic pressure (PCS-cyclic) obtained crystalline orientation BiSbTe material, the periodic uniaxial pressure of 100MPa, sintering temperature of 673K, the time was 10min. X-ray diffraction and electron backscatter diffraction patterns show that the texture of the obtained sample is C-plane orientation crystal, and the hexahedral C-plane is perpendicular to the pressing direction, which is the best direction for thermoelectric conversion. With the increase of Sb content, the carrier concentration of Bi 2-x Sb x Te 3 increases to (1.2 ~ 4.2) × 10 ~ (25) m -3. Compare this study material with single crystal
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