【摘 要】
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本文以再结晶碳化硅(RSiC)为基体,分别采用直接熔渗(MI)和前驱体浸渍裂解(PIP)-直接熔渗法(MI)来制备了MoSi2-RSiC复合材料,探究了熔渗温度、基体密度和制备工艺对复合材料组
【机 构】
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湖南大学材料科学与工程学院,湖南大学喷射沉积技术及应用湖南省重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(51372078,51302076)
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本文以再结晶碳化硅(RSiC)为基体,分别采用直接熔渗(MI)和前驱体浸渍裂解(PIP)-直接熔渗法(MI)来制备了MoSi2-RSiC复合材料,探究了熔渗温度、基体密度和制备工艺对复合材料组成、微观结构和导电性能的影响。进而引入半定量计算和改进型混合规则探讨了复合材料导电行为的影响因素。结果表明:不同方法制备的MoSi2-RSiC复合材料均为三维互穿网络结构,且PIP-MI法所制备的复合材料中,基体RSiC与MoSi2界面结合性良好;两种复合材料的体积电阻率都随基体密度的降低和熔渗温度的升高而降低,MS
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