【摘 要】
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利用时域有限差分（ＦＤＴＤ）方法，对电磁脉冲引起半导体器件的毁坏过程进行了数值模拟，得到了无负载半导体ｐｎ结器件在快前沿（ｎｓ量级）电磁脉冲作用下的瞬态行为，及由于电流引起的器件烧毁过程中器
【机 构】
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常德师范学院电磁理论研究所,西北核技术研究所
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利用时域有限差分（ＦＤＴＤ）方法，对电磁脉冲引起半导体器件的毁坏过程进行了数值模拟，得到了无负载半导体ｐｎ结器件在快前沿（ｎｓ量级）电磁脉冲作用下的瞬态行为，及由于电流引起的器件烧毁过程中器件参数的变化情况
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