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研究吗啡成瘾大鼠消退期高频脑深部电刺激(DBS)刺激双侧伏隔核对吗啡诱导位置偏爱及复吸行为的影响。
方法选取成年SD大鼠20只，体重280～300 g，将电极外套管通过立体定向手术植入大鼠双侧伏隔核核心部，术后休息5 d，应用腹腔注射吗啡(10 mg/kg)诱导建立吗啡成瘾大鼠位置偏爱模型，建模成功后采用随机数字表法将大鼠随机分为实验组(吗啡＋DBS，n＝9)和对照组(吗啡＋假刺激，n＝9)，通过DBS电路给予电刺激；实验组给予高频电刺激(刺激参数：频率120 Hz，波宽60 ms，刺激强度0.3 mA，刺激时间30 min/d)，对照组给予假刺激。刺激后次日开始测试两组大鼠位置偏爱评分至消退成功，比较两组消退时间；两组大鼠分别于消退成功24 h内诱导复吸，测试位置偏爱评分并进行组间比较。
结果实验组成瘾消退期平均时间(26 d)较对照组(6 d)明显延长。点燃复吸后，实验组伴药箱停留时间为(357.01±192.72) s，显著短于对照组[(704.91±181.35) s; t＝2.370，P＝0.034 6]。
结论高频刺激成瘾大鼠双侧伏隔核会延长成瘾行为消退时间，但会抑制点燃复吸行为。