为满足电子系统小型化高密度集成、多功能高性能集成、小体积低成本集成的需求,硅基异构集成和三维集成成为下一代集成电路的使能技术,成为当前和今后的研究热点.硅基三维集
基于热电薄膜的微型热电器件在微区制冷、温差发电等领域具有广阔应用前景。具有高功率因子、ZT值的热电薄膜对微型热电器件的性能至关重要。Sb2Te3基材料是室温下性能优异的p型热电材料。然而,目前Sb2Te3基薄膜的热电性能仍然不能满足实际应用的需求。简述了热电材料研究的相关背景,介绍了Sb2Te3的晶体结构,概述了Sb2Te3基薄膜的
耐高温高强韧性连续碳纤维增韧碳化硅复合材料(C/SiC)是空天飞行器用热结构件的首选材料之一。C/SiC热结构件的结构复杂,其连接技术是推动该材料应用的关键。采用化学气相渗透工艺制备2D C/SiC单钉铆接单元,研究其微结构和拉伸行为,分析相应的失效机制。结果表明:2D C/SiC单钉铆接单元的显微结构具有多孔、非均匀粘接和非均匀钉孔间隙特征。铆接剪切强度平均值为157.77 MPa,超过2D C/SiC面内剪切强度。搭接界面脱粘、钉孔相互挤压和铆钉内纤维剪断是2D C/SiC单钉铆接单元的主要失效机制。
采用两步水热法合成ZnIn
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4/MIL-125复合纳米材料,评估ZnIn
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4对MIL-125物相结构、形貌结构、化学态、光谱响应和光催化性能的影响。结果表明:添加少量ZnIn
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4使MIL-125由盘状块体逐渐演变为薄饼状,比表面积逐渐减小;当ZnIn
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4添加量(摩尔分数)为0.8%时,ZnIn
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对AZ31镁合金在3种电解液(NaAlO2,Na2SiO3,Na3PO4)中进行微弧氧化处理,采用扫描电子显微镜和X射线能谱仪分析了不同电解液体系下微弧氧化膜的表面和截面形貌及其元素分布情况,采用X射线衍射分析了微弧氧化膜生长过程中物相组成的变化情况,利用电动位极化、电化学阻抗和析氢测试比较了不同电解液体系中制备的相同厚度(~15mm)氧化膜的腐蚀防护性能,并根据不同电解液体系中微弧氧化膜生长过程
采用离子液体和硅烷偶联剂对凹凸棒石纳米粉体进行表面功能化改性,进而制备了功能化改性凹凸棒石增强环氧树脂复合材料。利用TRM-1000销-盘摩擦磨损试验机,系统研究了干摩擦条件下不同功能化改性凹凸棒石增强环氧树脂材料与轴承钢共同作为摩擦对偶的摩擦学性能,结合摩擦表面的微观形貌表征和界面摩擦化学分析,阐释了其摩擦学机理。结果表明:表面功能化改性可显著抑制凹凸棒石的团聚、提高其在树脂基体中的分散以及与树脂基体的结合;填充质量分数为3%离子液体功能化改性凹凸棒石,环氧树脂复合材料的耐磨性显著提升,较纯环氧树脂提高
使用电化学阻抗谱、扫描电子显微镜、热分析仪、X射线衍射仪等测试手段研究污水环境下硫氧化细菌形成的生物被膜基本特征及其对砂浆微观性能的影响。结果表明:30 d砂浆表面已经附着成熟的生物被膜,从宏观研究发现生物被膜是透明且含有白色物质的黏稠物,从微观研究发现生物被膜是由棒状硫氧化细菌包裹着胞外聚合物(EPS)形成的一种膜结构;90d生物被膜厚度、蛋白质含量光密度(OD)值、微生物数量OD值分别比30d生物被膜厚度、蛋白质OD值、微生物数量OD值低1.59 mm、0.086、1.614,表明90 d砂浆表面生物
利用超声波速、质量损失、体积密度以及导热系数等指标,对荷载-温度耦合作用下超高性能混凝土(UHPC)的损伤行为进行评价。结果表明:随着荷载的增加,UHPC的超声波速显著下降,损伤逐渐加剧,而温度对UHPC损伤的作用并不明显,超声波速值在4.55 km/s左右浮动;体积密度随着荷载和温度的增加逐渐降低,但下降幅度很小,在应力比为0.5和温度为90℃时分别仅降低了0.73%和1.80%,质量损失率的试验结果表现出相似的规律性;荷载和温度对UHPC的导热系数具有较大影响,随着两者的增加,导热系数都有明显的下降;
报道了在150μm厚、掺杂浓度5.0×1014 cm-3的外延层上制备15 kV/10A超高压SiC功率MOSFET器件的研究结果.对器件原胞结构开展了仿真优化,基于材料结构、JFET区宽度和JFET区注
报道了基于AlN/GaN异质结的Ka波段低噪声放大器的研制结果.在SiC衬底上生长AlN/GaN异质结材料结构,采用电子束直写工艺制备了栅长70 nm的“T”型栅结构.器件最大电流密度为1.