【摘 要】
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随着高速数据接入、传输和存储从高端计算设备和远程SONET(同步光纤网)设备转向便携式计算设备和以太网LAN(局域网)应用的日益广泛.半导体器件在满足日益苛刻的性能要求的同
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随着高速数据接入、传输和存储从高端计算设备和远程SONET(同步光纤网)设备转向便携式计算设备和以太网LAN(局域网)应用的日益广泛.半导体器件在满足日益苛刻的性能要求的同时必须变得更加经济实惠.目前,能以通常高于2.5Gbps速率传输数据的集成电路品种繁多,从数据复用信号发射器到高速物理层结构开关(fabric-switchjng)器件不一而足.前者的信号线、电源线和接地线总共不超过200条,而后者则需要2000多条连接线.在这设备范围的两端,互连电路的衬底的电磁特性会影响产品的总性能.人们追求的目标是价格最低廉、体积最小、性能最可靠的封装,这使这些电磁效应更加严重,并使设计细节更加重要.
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