第三代碳化硅肖特基二极管

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2009年2月18日,英飞凌科技股份有限公司在应用电源电子大会暨展览会(APEC)上推出第三代thinQ!TM SiC肖特基二极管。据称,该二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容, On February 18, 2009, Infineon Technologies Co., Ltd. introduced the third generation thinQ! TM SiC Schottky diode at the Applied Power Electronics Conference and Exhibition (APEC). Allegedly, the diode has the lowest device capacitance in the industry at any given current,
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